熱鍵合（fusion bonding）

對玻璃和石英材質刻蝕的微結構一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質的蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板，在上面的石墨板上再壓一塊重0.5 Kg的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

玻璃芯片鍵合時，高溫爐升溫速度為10℃/分，在620℃時保溫3.5小時，再以10℃/分的速率降溫。石英芯片鍵合溫度高達1000℃以上。此方法對操作技術要求較高，芯片如一次封接后有干涉條紋可多次熱鍵合。

但熱鍵合不能用于含溫度敏感試劑、含電極和波導管芯片，也不能用于不同熱膨脹系數材料的封接。

一般地說，封接比在玻璃和硅片上刻蝕微結構更困難，熱鍵合成品率也不高。

陽極鍵合（anodic bonding）

在玻璃、石英與硅片的封接中已廣泛采用陽極鍵合的方法。即在鍵合過程中 ，施加電場 ，使鍵合溫度低于軟化點溫度。

為防止熱鍵合可能發生的通道變形 ，甚至塌陷的現象 ，玻璃與玻璃之間的陽極鍵合已引起廣泛的興趣。在玻璃表面沉積上一層薄膜材料如多晶硅、氮化硅等作為中間層，在約700伏的電場下，升溫到400℃時，可使兩塊玻璃片鍵合。

文獻報道，在500～760伏電場下，升溫到500℃時，可使兩塊玻璃片鍵合而不需在玻璃表面沉積中間層。在兩塊玻璃板尚未鍵合時，板間空氣間隙承擔了大部分電壓降，玻璃板可視為平行板電容器，板間吸引力與電場強度的平方成正比。

因此，鍵合從兩塊玻璃中那些最接近的點開始，下板中可移動的正電荷（主要是Na+）與上板中的負電荷中和，生成一層氧化物（正是這層過渡層，使兩塊玻璃板封接），該點完成鍵合后，周圍的空氣間隙相應變薄，電場力增大，從而鍵合擴散開來，直至整塊密合。玻璃表面進行拋光處理，減小玻璃之間間隙寬度，可降低鍵合溫度。

其它封接方法

有報道用HF和硅酸鈉粘結玻璃的低溫鍵合技術，用1 %HF 滴入兩玻璃片之間的縫隙中，在室溫下加40gf/ cm2壓力，2h即可鍵合成功，溫度升高60℃，1h即可完成；在兩玻璃片之間，通過硅酸鈉稀溶液中間層，在室溫下放置過夜，或 90℃下放置1h也能進行鍵合。

Sayah等又報道了兩種低溫鍵合的方法：a.在兩片仔細清潔的玻璃片之間使用1μm厚的環氧膠，在1MPa的壓力和90℃條件下硬化；b.在100～200℃加高壓15h使之直接鍵合，壓力最高可用50MPa。

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