干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質(zhì)。 常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。

與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質(zhì)，通常是一種具有化學反應性的溶液或酸堿混合液，是一種將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)。主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等。

簡單來說，就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念，它是一種純化學刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質(zhì)量地完成圖形轉(zhuǎn)移和復制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉(zhuǎn)移過程中基本不再使用。

目前，濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環(huán)節(jié)，而在圖形轉(zhuǎn)移中干法刻蝕已占據(jù)主導地位。 這些溶液可以與待刻蝕材料發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)刻蝕。 硅濕法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質(zhì)進行。

然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。 每個目標物質(zhì)都需要選擇不同的化學溶液進行刻蝕，因為它們具有不同的固有性質(zhì)。 例如，在刻蝕SiO2時，主要使用HF； 而在刻蝕Si時，主要使用HNO3。 因此，在該過程中選擇適合的化學溶液至關(guān)重要，以確保目標物質(zhì)能夠充分反應并被成功去除。

“各向同性”和“各向異性”

在介紹濕法蝕刻和干法蝕刻的區(qū)別時，必不可少的詞是“各向同性”和“各向異性”。各向同性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)不隨方向變化，各向異性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)隨方向不同而不同。各向同性蝕刻是指在某一點周圍蝕刻進行相同量的情況，各向異性蝕刻是指蝕刻在某一點周圍根據(jù)方向不同進行的情況。例如，在半導體制造過程中的刻蝕中，往往選擇各向異性刻蝕，以便只刮削目標方向，而留下其他方向。

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