一、光刻和刻蝕技術(shù)

傳統(tǒng)的用于制作半導(dǎo)體及集成電路芯片的光刻和刻蝕技術(shù)，是微流控芯片加工工藝中最基礎(chǔ)的。它是用光膠、掩膜和紫外光進(jìn)行微細(xì)加工，工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結(jié)構(gòu)。光刻和刻蝕技術(shù)由薄膜沉積、光刻和刻蝕三個(gè)工序組成。復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)可通過(guò)多次重復(fù)薄膜沉積-光刻刻蝕這三個(gè)工序來(lái)完成。

光刻前先要在干凈的基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，這一工藝過(guò)程稱(chēng)之為薄膜沉積。薄膜按性能不同可分為器件工作區(qū)的外延層，限制區(qū)域擴(kuò)張的掩蔽膜，起保護(hù)、鈍化和絕緣作用的絕緣介質(zhì)膜，用作電極弓|線和器件互連的導(dǎo)電金屬膜等。膜材料常見(jiàn)有二氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、多晶硅、電導(dǎo)金屬、光刻抗蝕膠、難熔金屬等。制造加工薄膜的主要方法有氧化、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、濺射等。

在薄膜表面均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì)圖案通過(guò)曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層上的工藝過(guò)程稱(chēng)為光刻。光刻技術(shù)一般有以下基本工藝過(guò)程構(gòu)成：

1.基片的預(yù)處理。

通過(guò)脫脂、拋光、酸洗、水洗的方法使基片表面凈化，確保光刻膠與基片表面有良好的粘附。

2.涂膠

在經(jīng)過(guò)處理的基片表面均勻涂覆一層粘性好、厚度適當(dāng)?shù)墓饪棠z。膠膜太薄，易生成針孔，抗蝕能力差;太厚則不易徹底顯影，同時(shí)會(huì)降低分辨率。光刻膠的實(shí)際厚度與它的粘度有關(guān)，并與甩膠機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比。涂膠方法有旋轉(zhuǎn)涂覆法、刷涂法、浸漬法、噴涂法。

3. 前烘在一定的溫度下，使光刻膠液中溶劑揮發(fā)，增強(qiáng)光刻膠與基片粘附以及膠膜的耐磨性。前烘的溫度和時(shí)間由光致抗蝕劑的種類(lèi)和厚度決定，常采用電熱恒溫箱、熱空氣或紅外熱源。前烘溫度和時(shí)間要合適，若溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)會(huì)造成顯影時(shí)留下底膜或感光靈敏度下降，腐蝕時(shí)出現(xiàn)小島;若溫度過(guò)低或時(shí)間過(guò)短，會(huì)造成顯影后針孔增加，或產(chǎn)生浮膠、圖形變形等現(xiàn)象。

    4.曝光將已制備好所需芯片圖形的光刻掩膜覆蓋在基片上，用紫外線等透過(guò)掩膜對(duì)光刻膠進(jìn)行選擇性照射。受光照射的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
在實(shí)際操作中，曝光時(shí)間由光刻膜、膠膜厚度、光源強(qiáng)度以及光源與基片間距決定。曝光的方式有化學(xué)曝光、接觸式和接近式復(fù)印曝光、光學(xué)投影成像曝光。
    5.顯影用光膠配套顯影液通過(guò)化學(xué)方法除去經(jīng)曝光的光膠（正光膠）或未經(jīng)曝光的光膠（負(fù)光膠），顯影液和顯影時(shí)間的選擇對(duì)顯影效果的影響很大。選擇顯影液的原則是，對(duì)需要去除的那部分膠膜溶解度大、溶解速度快，對(duì)需要保留的那部分溶解度小。顯影時(shí)間視光致抗蝕劑的種類(lèi)、膠膜厚度、顯影液種類(lèi)、顯影溫度和操作方法而異。

    6.堅(jiān)膜將顯影后的基片進(jìn)行清洗后在一定溫度下烘烤，以徹底除去顯影后殘留于膠膜中的溶劑或水分，使膠膜與基片緊密粘附，防止膠層脫落，并增強(qiáng)膠膜本身的抗蝕能力。堅(jiān)膜的溫度和時(shí)間要合適。
刻蝕是將光膠層上的平面二維圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上并進(jìn)而在基片上加工成一定深度微結(jié)構(gòu)的工藝。
    根據(jù)刻蝕劑狀態(tài)不同，可將腐蝕工藝分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩大類(lèi)。濕法刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性腐蝕。其特點(diǎn)是選擇比高、均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點(diǎn)是圖形保真度不強(qiáng)，橫向腐蝕的同時(shí)，往往會(huì)出現(xiàn)側(cè)向鉆蝕，以致刻蝕圖形的最少線寬受到限制。
    干法刻蝕指利用高能束與表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。其最大的特點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即在縱向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于橫向刻蝕的速率，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。干法刻蝕的作用基礎(chǔ)是等離子體。
    用光刻的方法加工微流控芯片時(shí)，必須首先制造光刻掩模。掩膜的基本功能是基片受到光束照射時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和透過(guò)能力。用計(jì)算機(jī)制圖系統(tǒng)將掩模圖形轉(zhuǎn)化為數(shù)據(jù)文件，再通過(guò)專(zhuān)用接口電路控制圖形發(fā)生器中的曝光光源、可變光闌、工作臺(tái)和鏡頭，在掩模材料上刻出所需的圖形。或用微機(jī)通過(guò)CAD軟件將設(shè)計(jì)微通道的結(jié)構(gòu)圖轉(zhuǎn)化為圖像文件后，用高分辨率的打印機(jī)將圖像打印到透明薄膜上。此透明薄膜可作為光刻用的掩模，基本能滿足微流控芯片對(duì)掩模的要求。

二、熱壓法

熱壓法（hotembossing）是一-種應(yīng)用較廣泛的快速?gòu)?fù)制電泳微通道的芯片制作技術(shù)，適用于PMMA與PC等熱塑性聚合物材料。熱壓法的模具可以是直徑在50um以下的金屬絲或是刻蝕有凸突的微通道骨片陽(yáng)膜，如鎳基陽(yáng)模、單晶硅陽(yáng)模、玻璃陽(yáng)模、微機(jī)械加工的金屬陽(yáng)模。此法可大批量復(fù)制，設(shè)備簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便，但所用材料有限。

三、模塑法

用光刻和刻蝕的方法先制出陽(yáng)模（所需通道部分突起）;澆注液態(tài)的高分子材料，然后將固化后的高分子材料與陽(yáng)模剝離，得到具有微通道芯片的這種制備微芯片的方法稱(chēng)為模塑法。模塑法的關(guān)鍵在于模具和高分子材料的選擇，理想的材料應(yīng)相互之間粘附力小，易于脫模。微通道的陽(yáng)膜可由硅材料、玻璃、環(huán)氧基SU-8負(fù)光膠和PDMS等制造。硅或玻璃陽(yáng)膜可采用標(biāo)準(zhǔn)刻蝕技術(shù)。PDMS模具可通過(guò)直接澆注于由硅材料、玻璃等材料制的母模上制得。澆注用的高分子材料應(yīng)具有低粘度，低固化溫度。在重力作用下，可充滿模子上的微通道和凹槽等處?？捎玫牟牧嫌袃深?lèi)：固化型聚合物和溶劑揮發(fā)型聚合物。雖然模塑法受限于高分子材料，但該法簡(jiǎn)便易行，芯片可大批量復(fù)制，且不需要昂貴的設(shè)備，是一個(gè)可以制作廉價(jià)分析芯片的方法。
四、注塑法

注塑法的工藝是通過(guò)光刻和刻蝕技術(shù)在硅片上刻蝕出電泳芯片陰模，用此陰模進(jìn)行24h左右的電鑄，得到0.5cm厚的鎳合金模，再將鎳合金模加厚，精心加工制成金屬注塑模具，將此模具安裝在注塑機(jī)上批量生產(chǎn)聚合物微流控芯片基片。
    在注塑法制作過(guò)程中，模具制作復(fù)雜，技術(shù)要求高，周期長(zhǎng)，是整個(gè)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。一個(gè)好的模具可生產(chǎn)30~50萬(wàn)張聚合物芯片，重復(fù)性好，生產(chǎn)周期短，成本低廉，適宜于已成型的芯片生產(chǎn)。

五、LIGA技術(shù)

LIGA是德文Lithographie，Galvanoformung，Abformung三個(gè)字的字頭縮寫(xiě)。LIGA技術(shù)是由光刻、電鑄和塑鑄三個(gè)環(huán)節(jié)組成。
    準(zhǔn)LIGA技術(shù)是用紫外光光源來(lái)代替LIGA技術(shù)中的同步輻射X光深層光刻，然后進(jìn)行后續(xù)的微電鑄和微復(fù)制工藝。它不需要同步輻射X光光刻和特制的X光掩膜板，有利于實(shí)現(xiàn)微機(jī)械器件的大批量生產(chǎn)。根據(jù)紫外光深層光刻的工藝路線的不同，準(zhǔn)LIGA技術(shù)又可分為多層光刻-LIGA、硅模深刻蝕一LIGA和SU-8深層光刻一LIGA三類(lèi)。

六、激光燒蝕法

激光燒蝕法是一種非接觸式的微細(xì)加工技術(shù)。它可直接根據(jù)計(jì)算機(jī)CAD的數(shù)據(jù)在金屬、塑料、陶瓷等材料上加工復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)，已應(yīng)用于微模和微通道的加工。這種方法對(duì)技術(shù)設(shè)備要求較高，步驟簡(jiǎn)便，而且不需超凈環(huán)境，精度高。但由于紫外激光能量大，有一定的危險(xiǎn)，需在標(biāo)準(zhǔn)激光實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行操作，使用安全保護(hù)裝備和防護(hù)眼鏡。

七、軟光刻

軟光刻（softlithography）是相對(duì)于微制造領(lǐng)域中占據(jù)主導(dǎo)地位的光刻而言的微圖形轉(zhuǎn)移和微制造的新方法，以自組裝單分子層、彈性印章和高聚物模塑技術(shù)為基礎(chǔ)的微細(xì)加工新技術(shù)。它能制造復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)及不規(guī)則曲面;能應(yīng)用于生物高分子、膠體、玻璃、陶瓷等多種材料;沒(méi)有相關(guān)散射帶來(lái)的精度限制，可以達(dá)到30nm~1um級(jí)的微小尺寸;因此軟光刻是一種便宜、方便，適于實(shí)驗(yàn)室使用的技術(shù)。
    軟光刻技術(shù)的核心是彈性模印章，可通過(guò)光刻蝕和模塑的方法制得。PDMS是軟光刻中最常用的彈性模印章。軟光刻的關(guān)鍵技術(shù)主要包括微接觸印刷、再鑄模、微傳遞成模、毛細(xì)管成模、溶劑輔助成模等。
    軟光刻技術(shù)還存在著一些缺陷，如PDMS固化后有1%的收縮變形，而且在甲苯和乙烷的作用下，深寬比將出現(xiàn)一定的膨脹;PDMS的彈性和熱膨脹性使其很難獲得高的準(zhǔn)確性，也使軟光刻在多層面的微加工中受到限制;由于彈性模太軟，無(wú)法獲得大的深寬比，太大或太小的寬深比都將導(dǎo)致微結(jié)構(gòu)的變形或扭曲。