• 微流控中的烘膠技術解。雖然顯影后不需要光引發劑進行光反應，但在未曝光狀態下，它有助于提高光刻膠膜的堿性穩定性以及用于隨后的濕法蝕刻步驟或在pH值為7的溶液中進行的電鍍...2025-01-07 10:20:54
• 光刻膠再吸水某些光刻膠的光化學作用要求在曝光過程中光刻膠膜中需要有水作為不可缺少的前驅體，但在前烘后立即進行曝光則不能有足夠的時間吸收水分。本文主要介紹其原理、補水的方法和水分不足的可能的后果。光刻...2024-07-29 10:02:11
• 光刻膠的圖形反轉曝光劑量強烈影響著獲得的光刻膠輪廓形態:低曝光劑量與光的穿透深度相比，光刻膠膜厚度越大，曝光劑量在深度方向的分布更為明顯。在低光劑量的情況下，襯底附...2024-07-09 09:32:09
• 光刻膠的保存和老化失效2保護，如果條件不允許，其失效速度與容器的形狀等有關，不能一概而論。帶光刻膠膜樣品的存放涂膠的晶圓保存，在晶圓上并經過前烘的光刻膠膜可以在曝光前保存...2024-07-08 10:08:57
• 光刻膠去膠工藝光刻膠結構。堿性溶液通常不能完全去除光刻膠殘留物，但是在這種情況下會在光刻膠膜產生下蠕變。然后或多或少地將殘留物帶離襯底上，然后將其完全清除。但是，...2024-07-05 09:43:47
• 光刻膠后烘技術烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于...2024-07-03 09:15:13
• 光刻膠顯影率增加。由于在較低的溫度下，已顯影的光刻膠形成的復合物更穩定，因此其在光刻膠膜中的重新組裝受到抑制，所以在低溫下的速率最初驚人地增加。顯影液在多次顯...2024-07-02 09:36:33
• 光刻膠的硬烘烤技術雖然在顯影后不在需要光引發劑進行光反應，但在未曝光狀態下，它有助于提高光刻膠膜的堿性穩定性，以及用于隨后的濕法蝕刻步驟或在pH值為>7的溶液中進行的...2024-07-01 11:48:28
• 涂膠時發現襯底（or部分）涂不上膠怎么回事？用移液管或移液器取光刻膠時不正確的操作方式也會造成了氣泡以及由此導致的光刻膠膜的不均勻性（如果將移液管拉得太快，負壓會太大，引入氣泡）。如果在涂布前...2024-06-27 08:48:12
• 光刻膠的浸涂工藝在浸涂過程中，基材通常垂直地從一個充滿光刻膠的液池中提出來。富含溶劑的光刻膠膜從飽和溶劑的氣氛中形成。光刻膠液池正上方的飽和溶劑氣氛中(圖1所示)，...2024-06-26 09:18:28