隨著MEMS技術的不斷發展，工藝設備的更新和工藝環境的改善，已經使現有的光刻工藝體系有了質的飛躍。但由于其工藝過程和內容的特殊性，同時器件的掩模版圖形越來越復雜，圖形面積越做越大，線條要求越來越細，微流控器件性能和精度要求越來越高，就目前的工藝條件來說，整個光刻工藝流程并不能擺脫或完全擺脫人工的參與，同時還有工藝設備的穩定性、工藝原材料的影響等因素依然存在，因此，避免和消除工藝過程中造成的各種缺陷，進一步提高器件成品率和可靠性等性能參數，仍然是光刻工藝質量控制的工作重點。

 缺陷的種類

在微流控芯片注塑、刻蝕、清洗、修飾、鍵合過程中都有可能產生各種缺陷，尤其是重復次數最多的光刻工藝，它幾乎貫穿至封裝前的整個器件工藝制作過程。經有關的工藝分析資料表明，光刻引入的工藝缺陷幾乎占整個工藝流程總缺陷的50%。除了掩模版質量引起的缺陷外，大部分是在進行光刻工藝的操作過程中由于人流(人員的行為)、物流(操作介質)、氣流(凈化環境)等因素引起隨機分布的點缺陷。

每一次光刻需要經過勻膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、去膠等多次步驟，循環周期長。工藝過程中由于人流、物流、環境氣流以及原材料的質量、工藝設備的不穩定或者是衛生、清洗步驟的不徹底等等因素，都非常容易引入各種缺陷，其每一步驟都對質量有著直接的影響。

經常出現的缺陷種類，概括起來主要有以下幾類：

(1)掩模膠中存在的顆粒和空氣中的灰塵引入的點缺陷；

(2)光刻工藝過程中的機械損 (劃)傷；

(3)掩模膠中的針孔缺陷；

(4)掩模版質量引起的缺陷。